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簡要描述：EN-6500A IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，是針對IGBT 器件的開關(guān)特性及內(nèi)部續(xù)流二極管的反向恢復(fù)特性而推出的全自動測試系統(tǒng)。適用于電流小于4500A，集電極電壓 小于6000V，續(xù)流 二極管正向電流小于4500A的IGBT 器件的特性參數(shù)測試。
產(chǎn)品型號：廠商性質(zhì)：代理商更新時間：2025-09-25訪 問 量：2606產(chǎn)品分類
Product Category詳細(xì)介紹
| 品牌 | 其他品牌 |
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EN-6500A IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)
系統(tǒng)概述：
IGBT廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代中、大功率變換器中，其開關(guān)特性決定裝置的開關(guān)損耗、功率密度、器件應(yīng)力以及電磁兼容性，直接影響變換器的性能。因此準(zhǔn)確測 量功率開關(guān)元件的開關(guān)性能具有極其重要的實際意義。 該系統(tǒng)是針對IGBT 器件的開關(guān)特性及內(nèi)部續(xù)流二極管的反向恢復(fù)特性而推出的全自動測試系統(tǒng)。適用于電流小于4500A，集電極電壓 小于6000V，續(xù)流 二極管正向電流小于4500A的IGBT 器件的特性參數(shù)測試。
EN-6500A IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)
系統(tǒng)功能：
測試系統(tǒng)可對各類型二極管、IGBT和MOSFET半導(dǎo)體功率器件的各項動態(tài)參數(shù)進行測試。
開通特性測試單元：開通時間ton、上升時間tr、開通延遲時間td(on)、開通損耗Eon、電流尖峰Ic-peak max、電流變化率di/dt；
關(guān)斷特性測試單元：關(guān)斷時間toff、下降時間tf、開通延遲時間td(off)、開通損耗Eoff、、拖尾電流It、拖尾時間Tt、電壓尖峰Vce-peak max、電壓變化率dv/dt；
反向恢復(fù)測試單元：反向恢復(fù)電荷Qrr、反向恢復(fù)電流Irm、反向恢復(fù)時間Trr、反向恢復(fù)損耗Erec、反向恢復(fù)峰值電壓Vrrpeak、反向恢復(fù)電壓變化率dv/dt、反向恢復(fù)峰值功耗Prrpeak；
短路安全工作區(qū)單元；
反偏安全工作區(qū)單元；
參數(shù)條件：
| 開通特性/Open the features | 關(guān)斷特性/Shut off the feature | 氣動夾具 | |||
測 試 參 數(shù) | 開通延遲 /tdon | 10-1000ns±5%±10ns Tj=25oC和125 oC | 關(guān)斷延遲/tdoff | 10-2000ns±5%±10nS Tj=25oC和125 oC | 壓 力： 5000Pa的品牌空壓機供氣。 控溫范圍： 25℃~200℃ 控溫精度： ±1.0℃±1% 器件接觸： 20 個探針的接觸矩陣 |
| 上升時間 /tr | 10-1000ns±5%±10ns Tj=25oC和125 oC | 下降時間/tf | 10-2000ns±5%±10nS Tj=25oC和125 oC | ||
| 開通能量 /Eon | 1-1000mJ±5%±0.1 mJ Tj=25oC和125 oC | 關(guān)斷能量/Eoff | 1-1000mJ±5%±0.1 mJ Tj=25oC和125 oC | ||
測 試 條 件 | 集電極電壓 /Vce | 50-3500V±5% 根據(jù)用戶要求定制 | 集電極電壓/Vce | 50-3500V±5% 根據(jù)用戶要求定制 | |
| 集電極電流/Ic | 50-1500A±5% 根據(jù)用戶要求定制 | 集電極電流/Ice | 50-1500A±5% 根據(jù)用戶要求定制 | ||
| 負(fù)載 /Lcoad | 20-1000uH | 負(fù)載/L | 20-1000uH | ||
| 柵極電壓/ Vge | ±15V±3%±0.2V | ||||
| 短路測試/Sct | 一次短路 / 脈寬10uS / 短路電流10KA 1 short circuit/pulse width 10uS/short circuit current 10KA | ||||
| 二極管反向恢復(fù)/Drr | 反向恢復(fù)電流 / 反向恢復(fù)時間 / 反向di / dt 26/5000 Reverse recovery current/reverse recovery time/reverse di/dt | ||||
| 柵極電荷/Qg | 400-20000nC | ||||
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