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簡(jiǎn)要描述：ENJ2010 IGBT便攜式半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀，是一種全新的功率半導(dǎo)體器件參數(shù)測(cè)試儀器，可用于額定電流在2-100A的IGBT和MOS管主要靜態(tài)參數(shù)的測(cè)試。儀器與配套電腦連接使用，通過友好人機(jī)界面操作，便于各 測(cè)試參數(shù)的組合、數(shù)據(jù)結(jié)果以表格形式呈現(xiàn)，具有使用便捷、測(cè)試精度高等優(yōu)點(diǎn)，適合于各測(cè)試器件使用現(xiàn)場(chǎng)及產(chǎn)線維護(hù)場(chǎng)合使用。
產(chǎn)品型號(hào)：廠商性質(zhì)：代理商更新時(shí)間：2025-09-25訪 問 量：1914產(chǎn)品分類
Product Category詳細(xì)介紹
| 品牌 | 其他品牌 |
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ENJ2010 IGBT便攜式半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀
系統(tǒng)概述：
IGBT作為目前主流的電力半導(dǎo)體開關(guān)器件，已廣泛應(yīng)用于電力電子相關(guān)行業(yè)，一臺(tái)輕巧便攜的測(cè)試儀就顯得尤為重要。便攜式IGBT測(cè)試儀，是一種全新的功率半導(dǎo)體器件參數(shù)測(cè)試儀器，可用于額定電流在2-100A的IGBT和MOS管主要靜態(tài)參數(shù)的測(cè)試。儀器與配套電腦連接使用，通過友好人機(jī)界面操作，便于各 測(cè)試參數(shù)的組合、數(shù)據(jù)結(jié)果以表格形式呈現(xiàn)，具有使用便捷、測(cè)試精度高等優(yōu)點(diǎn)，適合于各測(cè)試器件使用現(xiàn)場(chǎng)及產(chǎn)線維護(hù)場(chǎng)合使用。
該測(cè)試系統(tǒng)具有如下特點(diǎn)：
該測(cè)試系統(tǒng)是一套綜合參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，對(duì)設(shè)備自身的抗干擾能力要求較高，因此難度比較 大；
該測(cè)試系統(tǒng)采用自動(dòng)控制，測(cè)試可按測(cè)試員設(shè)定的程序進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試；
該系統(tǒng)采用計(jì)算機(jī)記錄測(cè)試結(jié)果，并可將測(cè)試結(jié)果轉(zhuǎn)化為 EXCEL 文件進(jìn)行處理。
該測(cè)試系統(tǒng)主要由以下部分組成：
柵極-發(fā)射極漏電流測(cè)試單元
柵極-發(fā)射極閾值電壓測(cè)試單元
集電極-發(fā)射極電壓測(cè)試單元
集電極-發(fā)射極飽和電壓測(cè)試單元
二極管壓降測(cè)試單元
二極管反向擊穿電壓測(cè)試單元
ENJ2010 IGBT便攜式半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀
測(cè)試范圍/Test range
柵極/Gate 發(fā)射極/Emitter | VGES：1-40V 分辨率/Resolving power 0.1V IGES：0.1-10Ua 分辨率/Resolving power 0.01uA Vce：0V |
| 集電極/Collector 發(fā)射極/Emitter | Vces：100-3000V 分辨率/Resolving power 10V Ices：100uA-5mA 分辨率/Resolving power 10uA |
柵極發(fā)射極閾值電壓 Grid emitter threshold voltage | Vge(th)：1-10V 分辨率/Resolving power 0.1V |
集電極Collector/發(fā)射極Emitter 飽和電壓/Saturation voltage | VCE(sat)：0.2-5V 分辨率/Resolving power 0.01V ICE：10-100A 分辨率/Resolving power 1A |
| 二極管/Diode 壓降/Pressure drop | VF：0.01-5V 分辨率/Resolving power 0.01V IF：1-100A 分辨率/Resolving power 1A Vge：0V |
二極管反向最大/Diode reversal maximum 可恢復(fù)直流電壓/Recover dc voltage | Vces：100-3000V 分辨率/Resolving power 10V Ices：100uA-5mA 分辨率/Resolving power 10uA |
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