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簡(jiǎn)要描述：ENX2020 IGBT/晶閘管老化測(cè)試系統(tǒng)是在一定溫度下，對(duì)半導(dǎo)體器件施加阻斷（或反偏）電壓，按照規(guī)定時(shí)間，從而對(duì)器件進(jìn)行質(zhì)量檢驗(yàn)和耐久性評(píng)估的一種主要試驗(yàn)方法。
產(chǎn)品型號(hào)：廠(chǎng)商性質(zhì)：代理商更新時(shí)間：2025-09-25訪(fǎng) 問(wèn) 量：2218產(chǎn)品分類(lèi)
Product Category詳細(xì)介紹
| 品牌 | 其他品牌 |
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交流阻斷（或反偏）耐久性試驗(yàn)是在一定溫度下，對(duì)半導(dǎo)體器件施加阻斷（或反偏）電壓，按照規(guī)定時(shí)間，從而對(duì)器件進(jìn)行質(zhì)量檢驗(yàn)和耐久性評(píng)估的一種主要試驗(yàn)方法。一般情況下，此項(xiàng)試驗(yàn)是對(duì)器件在結(jié)溫（TM℃和規(guī)定的交流阻斷電壓或反向偏置電壓的兩應(yīng)力組合下，進(jìn)行規(guī)定時(shí)間的試驗(yàn)，并根據(jù)抽樣理論和失效判定依據(jù)，確認(rèn)是否通過(guò)， 同時(shí)獲取相關(guān)試驗(yàn)數(shù)據(jù)。該系統(tǒng)符合MIL-STD-750D METHOD-1038.3、GJB128、JEDEC標(biāo)準(zhǔn)。
ENX2020 IGBT/晶閘管老化測(cè)試系統(tǒng)
系統(tǒng)組成：
| 漏電流保護(hù)回路 |
| 試驗(yàn)電壓保護(hù)回路 |
| 高壓回路 |
| 試品漏電流 |
| 試驗(yàn)電壓 |
| 溫度控制單元 |
ENX2020 IGBT/晶閘管老化測(cè)試系統(tǒng)
技術(shù)指標(biāo)：
| 晶閘管高溫阻斷 | IGBT高溫反偏測(cè)試 | |
| 試驗(yàn)電壓 | VDRM.VRRM/VRRM 300V- 4000V 連續(xù)可調(diào)， 50HZ工頻 | 試驗(yàn)電壓： 50-5000V ±3%±10V 器件漏電流測(cè)試范圍： 0.01mA-2mA 0.01mA-1mA±3%±0.01mA 1mA-2mA±3%±0.1mA 測(cè)試時(shí)間：計(jì)算機(jī)設(shè)定 測(cè)試方法：器件在特定溫度下存儲(chǔ)一定時(shí)間后，在設(shè)定電壓下對(duì)每只器件同時(shí)持續(xù)加反壓進(jìn)行測(cè)試，每隔1-2秒刷新一遍輸出的測(cè)試結(jié)果，監(jiān)控各器件反壓下漏電流參數(shù)，并保存測(cè)試數(shù)據(jù)。 |
| 試驗(yàn)電流 | IDRM.IRRM/IRRM 1.0mA-200.0mA | |
| 試驗(yàn)溫度 | 溫度范圍：室溫-180℃ 125℃±3℃；溫度波動(dòng)度±0.5℃ | |
| 試驗(yàn)工位 | 10工位 | |
| 試驗(yàn)容量 | 80×16=1280位 | |
| 加電方式 | 器件試驗(yàn)參數(shù)從器件庫(kù)中導(dǎo)入，ATTM自動(dòng)加電試驗(yàn)方式，可單通道操作；老化電源可根據(jù)設(shè)定試驗(yàn)電壓和上電時(shí)間程控步進(jìn)加載 | |
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